原子层沉积系统设备
作者:院办公室 时间:2023-06-20 点击数:
设备名称:原子层沉积系统设备
型号:PALD-150D
产地类型:国产
主要技术参数:
Power:380 V AC, 60 Hz, three-phase, 6 kw
Size of the substrate:6” wafer
Temperature of the substrate:RT to 500°C
Source Heater:RT to 200℃
Deposition Rate:1.2 Å /cycle at 200℃ and 0.2Torr (Al2O3)
Control route:Labview with Touch Screen
Source Bottle Number:3
Base Vacuum:< 5×10-3Torr
Pneumatic valve:Swagelok Diaphragm Valves for ALD, Response time 5ms
Size(L×W×H):750mm×630mm×1234mm
仪器配置:CW-6200水冷机
用途:
1. 半导体行业及光伏等行业的半导体薄膜制备;
2. 物理、材料等领域的二维材料薄膜制备及粉体材料表面包覆。